STD36NH02L和STD38NH02LT4

对比图

型号 STD36NH02L STD38NH02LT4 STD44N4LF6

描述 N沟道24V - 0.011ohm - 30A - DPAK封装的STripFET III功率MOSFET N-channel 24V - 0.011ohm - 30A - DPAK STripFET III Power MOSFETN沟道24V - 0.011ohm - 38A - DPAK / IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 24V - 0.011ohm - 38A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFETN沟道40 V ， 8.9 MI © ， 44采用DPAK STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 40 V, 8.9 mΩ, 44 A DPAK STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 - - 3

漏源极电阻 14.5 mΩ 15.0 mΩ 0.0089 Ω

耗散功率 45 W 40W (Tc) 50 W

阈值电压 - - 1V ~ 2.5V

输入电容 - - 1190 pF

漏源极电压(Vds) 24 V 24 V 40 V

上升时间 70 ns 62 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 860pF @15V(Vds) 1070pF @25V(Vds) 1190pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 45 W 40 W 50 W

下降时间 15 ns 12 ns 8 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 45W (Tc) 40W (Tc) 50W (Tc)

通道数 1 - -

漏源击穿电压 24 V 24.0 V -

额定电压(DC) - 24.0 V -

额定电流 - 38.0 A -

极性 - N-Channel -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 38.0 A -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.6 mm - -

宽度 6.2 mm - -

高度 2.4 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free