IPB120N06NG和SPB80N06S2L-07

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB120N06NG SPB80N06S2L-07

描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263 TO-263-3-2

额定电压(DC) 60.0 V 55.0 V

额定电流 75.0 A 80.0 A

极性 - N-CH

耗散功率 - 210W (Tc)

输入电容 2.10 nF 4.21 nF

栅电荷 62.0 nC 130 nC

漏源极电压(Vds) 60 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 80.0 A

输入电容(Ciss) 2100pF @30V(Vds) 4210pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 210W (Tc)

额定功率(Max) 158 W -

封装 TO-263 TO-263-3-2

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

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