FCI7N60和FCU7N60

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FCI7N60 FCU7N60 FCU7N60TU

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCI7N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETN沟道 600V 7A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 IPAK TO-220-3

引脚数 3 - 3

极性 N-Channel N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 7A 7.00 A

额定电压(DC) 600 V - 600 V

额定电流 7.00 A - 7.00 A

通道数 1 - 1

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.53 Ω - 530 mΩ

耗散功率 83 W - 83 W

阈值电压 3 V - -

漏源击穿电压 600 V - 600 V

上升时间 55 ns - 55 ns

输入电容(Ciss) 920pF @25V(Vds) - 920pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 83 W - 83 W

下降时间 32 ns - 32 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

耗散功率(Max) 83W (Tc) - 83W (Tc)

输入电容 - - 920 pF

栅电荷 - - 30.0 nC

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

封装 TO-262-3 IPAK TO-220-3

长度 10.29 mm - 10.67 mm

宽度 4.83 mm - 4.7 mm

高度 9.2 mm - 16.3 mm

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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