TLV27L1IDR和TLV27L1IDRG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV27L1IDR TLV27L1IDRG4 TLV27L1ID

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TLV27L1IDR  运算放大器, 单路, 160 kHz, 1个放大器, 0.06 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚11uA/Channel, 160kHz, RR-Out Op Amp 8-SOIC -40℃ to 125℃BiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

输出电流 0.4mA @2.7V 0.4mA @2.7V 0.4mA @2.7V

供电电流 7 µA - 7 µA

电路数 1 - 1

通道数 1 1 1

针脚数 8 - -

耗散功率 710 mW - 0.71 W

共模抑制比 71 dB - 71 dB

输入补偿漂移 1.10 µV/K 1.10 µV/K 1.10 µV/K

带宽 160 kHz 160 kHz 160 kHz

转换速率 60.0 mV/μs 60.0 mV/μs 60.0 mV/μs

增益频宽积 0.16 MHz 0.16 MHz 160 kHz

输入补偿电压 5 mV - 500 µV

输入偏置电流 0.06 nA - 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.16 MHz - 160 kHz

耗散功率(Max) 710 mW 710 mW 710 mW

共模抑制比(Min) 71 dB 71 dB 71 dB

电源电压(Max) 16 V - -

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ - -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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