对比图
型号 FQB6N80 FQB6N80TM
描述 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFETON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB6N80TM, 5.8 A, Vds=800 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管
封装 D2PAK TO-263-3
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 D2PAK TO-263-3
长度 - 10.67 mm
宽度 - 9.65 mm
高度 - 4.83 mm
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 -
含铅标准 - Lead Free
极性 N-CH -
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 5.8A -
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 1.5 Ω
耗散功率 - 3.13 W
阈值电压 - 5 V
上升时间 - 70 ns
输入电容(Ciss) - 1150pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 3.13 W
下降时间 - 45 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 3.13 W
工作温度 - -55℃ ~ 150℃