对比图
型号 2N6275 JANTXV2N6648 2N3583
描述 Bipolar Transistors - BJT NPN TransistorTO-3 PNP 40V 10ANTE ELECTRONICS 2N3583 晶体管, NPN 高电压
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 2
封装 TO-3 TO-3 TO-66
极性 - PNP NPN
耗散功率 - 5 W 35 W
击穿电压(集电极-发射极) - 40 V -
集电极最大允许电流 - 10A -
工作温度(Max) - 175 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) 250000 mW 5000 mW -
针脚数 - - 2
直流电流增益(hFE) - - 40
封装 TO-3 TO-3 TO-66
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
ECCN代码 - EAR99 -