对比图
型号 IRFB4110GPBF IRFB4110PBF
描述 INFINEON IRFB4110GPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 180A, TO-220ABINFINEON IRFB4110PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.0045 Ω 0.0045 Ω
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 370 W 370 W
阈值电压 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 180A 180A
上升时间 67 ns 67 ns
输入电容(Ciss) 9620pF @50V(Vds) 9620pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 370 W 370 W
下降时间 88 ns 88 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 370W (Tc) 370W (Tc)
额定功率 - 370 W
输入电容 - 9620 pF
漏源击穿电压 - 100 V
长度 10.67 mm 10.67 mm
宽度 4.83 mm 4.82 mm
高度 16.51 mm 9.02 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99