IXFP102N15T和IXTP102N15T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFP102N15T IXTP102N15T

描述 TO-220 N-CH 150V 102ATO-220 N-CH 150V 102A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 455W (Tc) 455W (Tc)

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 102A 102A

上升时间 - 14 ns

输入电容(Ciss) 5220pF @25V(Vds) 5220pF @25V(Vds)

下降时间 - 22 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 455W (Tc) 455W (Tc)

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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