1N5530DUR-1和JAN1N5530DUR-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5530DUR-1 JAN1N5530DUR-1 JANTXV1N5530DUR-1

描述 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 - -

封装 DO-213AA DO-213AA DO-213AA

测试电流 1 mA - -

稳压值 10 V 10 V 10 V

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

容差 - ±1 % ±1 %

正向电压 - 1.1V @200mA 1.1V @200mA

额定功率(Max) - 500 mW 500 mW

封装 DO-213AA DO-213AA DO-213AA

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - -

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台