MJ21193G和MJ21195G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJ21193G MJ21195G MJ21193

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJ21193G  单晶体管 双极, 音频, PNP, 250 V, 4 MHz, 250 W, 16 A, 75 hFE硅功率晶体管 Silicon Power Transistors16 ampere complementary silicon power transistors 250 volts 250W

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 2 -

封装 TO-204-2 TO-204-2 -

频率 4 MHz 4 MHz -

额定电压(DC) -250 V -250 V -

额定电流 -16.0 A -16.0 A -

极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel -

耗散功率 250 W 250 W -

击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V -

集电极最大允许电流 16A 16A -

最小电流放大倍数(hFE) 25 @8A, 5V 25 @8A, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) 75 75 -

额定功率(Max) 250 W 250 W -

直流电流增益(hFE) 75 25 -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 250000 mW 250000 mW -

针脚数 3 - -

热阻 0.7℃/W (RθJC) - -

宽度 26.67 mm 26.67 mm -

封装 TO-204-2 TO-204-2 -

长度 39.37 mm - -

高度 8.51 mm - -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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