SI4804BDY-T1-E3和SI4808DY-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4804BDY-T1-E3 SI4808DY-T1-E3 SI4944DY-T1-E3

描述 MOSFET N-CH DUAL 30V 5.7A 8-SOICMOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOICMOSFET N-CH DUAL 30V 9.3A 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

极性 - N-Channel N-Channel, Dual N-Channel

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 7.50 A 12.2 A

额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W 1.3 W

漏源极电阻 - 22.0 mΩ -

耗散功率 - 2.00 W -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - - 1.75 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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