IRF9Z24NSPBF和IRF9Z24SPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF9Z24NSPBF IRF9Z24SPBF

描述 MOSFET P-CH 55V 12A TO-262功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

漏源极电阻 175 mΩ 0.28 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 3.8 W 3.7 W

产品系列 IRF9Z24NS -

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V

漏源击穿电压 -55.0 V -60.0 V

连续漏极电流(Ids) -12.0 A 11.0 A, -11.0 A

上升时间 55 ns 68 ns

输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 570pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.8 W 3.7 W

下降时间 37 ns 29 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) 175 ℃ -

针脚数 - 3

耗散功率(Max) - 3700 mW

封装 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.67 mm

宽度 - 9.65 mm

高度 - 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

最小包装 - 2000

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 -

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