M58LW032D90ZA1E和M58LW032D90ZA6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M58LW032D90ZA1E M58LW032D90ZA6 M58LW032D90ZA6F

描述 32兆位4Mb的X8 , X16的2Mb ,统一座3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8, 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory32兆位4Mb的X8 , X16的2Mb ,统一座3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8, 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory32兆位4Mb的X8 , X16的2Mb ,统一座3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8, 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 TBGA TBGA-64 TBGA

封装 TBGA TBGA-64 TBGA

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

存取时间 - 90.0 ns -

电源电压 - 2.7V ~ 3.6V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

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