STP15NK50Z和STU14NA50

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP15NK50Z STU14NA50

描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN - 沟道增强模式快速功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole -

引脚数 3 -

封装 TO-220-3 -

额定电压(DC) 500 V -

额定电流 14.0 A -

漏源极电阻 0.3 Ω -

极性 N-Channel -

耗散功率 160 W -

阈值电压 3.75 V -

漏源极电压(Vds) 500 V -

漏源击穿电压 500 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 7.00 A -

上升时间 23 ns -

输入电容(Ciss) 2260pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 160 W -

下降时间 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 160W (Tc) -

长度 10.4 mm -

宽度 4.6 mm -

高度 15.75 mm -

封装 TO-220-3 -

工作温度 -50℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

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