对比图


型号 STP15NK50Z STU14NA50
描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN - 沟道增强模式快速功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管
安装方式 Through Hole -
引脚数 3 -
封装 TO-220-3 -
额定电压(DC) 500 V -
额定电流 14.0 A -
漏源极电阻 0.3 Ω -
极性 N-Channel -
耗散功率 160 W -
阈值电压 3.75 V -
漏源极电压(Vds) 500 V -
漏源击穿电压 500 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 7.00 A -
上升时间 23 ns -
输入电容(Ciss) 2260pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 160 W -
下降时间 15 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 160W (Tc) -
长度 10.4 mm -
宽度 4.6 mm -
高度 15.75 mm -
封装 TO-220-3 -
工作温度 -50℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -