对比图
型号 IRF7313 NTMD6N03R2G IRF7313PBF
描述 SOIC N-CH 30V 6.5AON SEMICONDUCTOR NTMD6N03R2G. 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, SOICINFINEON IRF7313PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 30 V, 29 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 - - 2 W
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 23.0 mΩ 0.024 Ω 0.029 Ω
极性 Dual N-Channel Dual N-Channel Dual N-Channel
耗散功率 - 2 W 2 W
阈值电压 - 1.8 V 1 V
输入电容 - - 650 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0V (min) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 6.50 A 6.00 A 6.5A
上升时间 8.9 ns 22.0 ns 8.9 ns
热阻 - - 62.5℃/W (RθJA)
输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) 950pF @24V(Vds) 650pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 1.29 W 2 W
下降时间 17 ns - 17 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) - - 150 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 2 W
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 6.50 A 6.00 A -
产品系列 IRF7313 - -
通道数 - 2 -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17
ECCN代码 - EAR99 -