X28HC64SI-12T1和X28HC64SIZ-12T1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 X28HC64SI-12T1 X28HC64SIZ-12T1

描述 EEPROM 8K X 8,EMOS EEPROM, SDP, 28 SOIC,IND.,120NS T & R8K X 8 EEPROM,HIGH SPEED,CMOS,28LD SOIC,IND TEMP,120NS,T&R,P HT SUSA CODE:8542320050

数据手册 --

制造商 Intersil (英特矽尔) Intersil (英特矽尔)

分类 EEPROM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 28 28

封装 SOIC SOIC-28

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) -

时钟频率 120 GHz -

存取时间 120 ns -

内存容量 64000 B -

存取时间(Max) 120 ns 120 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃

电源电压(Max) 5.5 V -

电源电压(Min) 4.5 V -

封装 SOIC SOIC-28

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

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