1SMB12AT3和SMBJ12A-13-F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1SMB12AT3 SMBJ12A-13-F P6SMB12AT3G

描述 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors特点•600W表面贴装瞬态电压抑制器•断态电压5.0V - 170V•玻璃钝化模施工•单向和双向版本•出色的钳位能力•快速响应时间•铅涂层/符合RoHS标准(注1)•绿色模塑化合物(无卤素和锑)ON SEMICONDUCTOR  P6SMB12AT3G  TVS二极管, TVS, P6SMB系列, 单向, 10.2 V, 16.7 V, DO-214AA, 2 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 DO-214AA-2 SMB DO-214AA

额定电压(DC) 12.0 V 12.0 V -

工作电压 12 V - 10.2 V

额定功率 600 W 600 W -

击穿电压 13.3 V 13.3 V 11.4 V

钳位电压 19.9 V 19.9 V 16.7 V

最大反向电压(Vrrm) 12V 12V 10.2V

测试电流 1 mA 1 mA 1 mA

脉冲峰值功率 600 W 600 W 600 W

最小反向击穿电压 13.3 V 13.3 V 11.4 V

击穿电压 13.3 V 13.3 V 11.4 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

电路数 - 1 1

针脚数 - - 2

最大反向击穿电压 - - 12.6 V

电容 - 1400 pF -

正向电压 - 5 V -

耗散功率 - 600 W -

长度 4.57 mm 4.57 mm 4.6 mm

宽度 3.81 mm 3.9 mm 3.95 mm

高度 2.2 mm 2.62 mm 2.2 mm

封装 DO-214AA-2 SMB DO-214AA

厚度 2.41 mm - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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