IXFE36N100和IXFN40N110P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFE36N100 IXFN40N110P IXFN36N110P

描述 ISOPLUS N-CH 1000V 33ASOT-227B N-CH 1100V 34ASOT-227B N-CH 1100V 36A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Chassis Chassis Chassis

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 580 W 890W (Tc) 1000W (Tc)

漏源极电压(Vds) 1000 V 1100 V 1100 V

连续漏极电流(Ids) 33A 34A 36A

输入电容(Ciss) 15000pF @25V(Vds) 19000pF @25V(Vds) 23000pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 580W (Tc) 890W (Tc) 1000W (Tc)

上升时间 82 ns - -

下降时间 40 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

额定功率(Max) - - 1000 W

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

长度 38.23 mm - -

宽度 25.42 mm - -

高度 9.65 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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