IDT71V124S15YI和IDT71V124SA15YI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71V124S15YI IDT71V124SA15YI CY7C1019V33-15VC

描述 3.3V CMOS静态RAM 1兆欧( 128K ×8位)引脚革命 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout3.3V CMOS静态RAM 1兆欧( 128K ×8位)中心电源和接地引脚 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout128K ×8静态RAM 128K x 8 Static RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 SOJ SOJ-32 SOJ

安装方式 - Surface Mount -

封装 SOJ SOJ-32 SOJ

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

电源电压 - 3V ~ 3.6V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

ECCN代码 - 3A991 -

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