BD543B和BD543B-S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD543B BD543B-S

描述 NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORSTO-220 NPN 80V 8A

数据手册 --

制造商 Bourns J.W. Miller (伯恩斯) Bourns J.W. Miller (伯恩斯)

分类 电流滤波器件双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3

极性 NPN NPN

耗散功率 70000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V

集电极最大允许电流 8A 8A

最小电流放大倍数(hFE) 60 15 @5A, 4V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

额定功率(Max) - 2 W

耗散功率(Max) - 70000 mW

封装 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

材质 - Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

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