对比图
型号 IXER60N120 IXGR50N60B IXGX120N60B
描述 Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 95A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247IGBT 600V 200A 660W TO247
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 ISOPLUS-247 ISOPLUS-247 TO-247-3
极性 NPN, N-Channel - -
耗散功率 375 W - -
上升时间 50.0 ns - 45.0 ns
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 375 W 250 W 660 W
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 200 A
封装 ISOPLUS-247 ISOPLUS-247 TO-247-3
宽度 - - 5.21 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free