BC489AG和BC639-10-AP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC489AG BC639-10-AP BC489A

描述 大电流晶体管NPN硅这是PBA ???? Free设备 High Current Transistors NPN Silicon These are Pb−Free DevicesSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1Element, NPN, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科) Continental Device

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

引脚数 3 3 -

封装 TO-92-3 TO-92 -

额定电压(DC) 80.0 V - -

额定电流 500 mA - -

极性 NPN - -

耗散功率 625 mW 1 W -

增益频宽积 200 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V - -

集电极最大允许电流 0.5A - -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 2V - -

额定功率(Max) 625 mW - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 625 mW 1000 mW -

频率 - 100 MHz -

长度 5.2 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

封装 TO-92-3 TO-92 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台