对比图
型号 SIHG20N50C-E3 SIHS20N50C-E3
描述 MOSFET N-CH 500V 20A TO247Mosfet n-Ch 500V 20A To-247ad
数据手册 --
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-247-3
耗散功率 250W (Tc) 250 W
输入电容(Ciss) 2942pF @25V(Vds) 2942pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 250W (Tc) 250mW (Tc)
通道数 - 1
漏源极电阻 - 0.27 Ω
阈值电压 - 5 V
漏源极电压(Vds) - 500 V
漏源击穿电压 - 500 V
上升时间 - 27 ns
下降时间 - 44 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃
封装 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 16.1 mm
宽度 - 5.3 mm
高度 - 20.8 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅