STD65N3LLH5和STP120NH03L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD65N3LLH5 STP120NH03L IRLR7821PBF

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 30 V, 0.0061 ohm, 10 V, 1.8 VN沟道30V - 0.005ohm - 60A - TO-220 / D2PAK / I2PAK的STripFET功率MOSFET用于DC-DC转换 N-channel 30V - 0.005ohm - 60A - TO-220 / D2PAK / I2PAK STripFET Power MOSFET for DC-DC conversionINFINEON  IRLR7821PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0061 Ω - 0.01 Ω

耗散功率 50 W 110W (Tc) 75 W

阈值电压 1.8 V - 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

上升时间 11.2 ns - 4.2 ns

输入电容(Ciss) 1290pF @25V(Vds) 4100pF @25V(Vds) 1030pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 50 W - 75 W

下降时间 6 ns - 3.2 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 50W (Tc) 110W (Tc) 75W (Tc)

极性 - N-CH N-Channel

连续漏极电流(Ids) - 60A 65A

额定功率 - - 75 W

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.39 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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