对比图
型号 IRFP054N IRFP054NPBF HUF75344G3
描述 TO-247AC N-CH 55V 81AN 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75344G3. 场效应管, MOSFET, N沟道
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定功率 - 130 W 285 W
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 12.0 mΩ (max) 0.012 Ω 0.0065 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 170W (Tc) 130 W 285 W
阈值电压 - 4 V 4 V
输入电容 - 2900 pF 3.20 nF
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 55.0V (min) 55 V 55.0 V
连续漏极电流(Ids) 81.0 A 81A 75.0 A
上升时间 66 ns 66 ns 125 ns
输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds) 3200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 170 W 285 W
下降时间 46 ns 46 ns 57 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 170W (Tc) 170W (Tc) 285W (Tc)
额定电压(DC) 55.0 V - 55.0 V
额定电流 72.0 A - 75.0 A
栅电荷 - - 90.0 nC
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
产品系列 IRFP054N - -
长度 - 15.9 mm 15.87 mm
宽度 - 5.3 mm 4.82 mm
高度 - 20.3 mm 20.82 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - - EAR99