对比图
型号 IXFH50N60P3 IXFK48N60P APT56F60L
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH50N60P3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 50 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 5 VIXYS SEMICONDUCTOR IXFK48N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 48 A, 600 V, 135 mohm, 10 V, 5 VTO-264 N-CH 600V 60A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-264-3 TO-264-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.16 Ω 0.135 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 1.04 W 830 W 1040000 mW
阈值电压 5 V 5 V -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 50A 48.0 A 60A
上升时间 20 ns 25 ns 75 ns
输入电容(Ciss) 6300pF @25V(Vds) 8860pF @25V(Vds) 11300pF @25V(Vds)
下降时间 17 ns 22 ns 60 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1040W (Tc) 830W (Tc) 1040W (Tc)
额定功率(Max) - 830 W 1040 W
额定电压(DC) - 600 V -
额定电流 - 48.0 A -
通道数 - 1 -
输入电容 - 8.86 nF -
栅电荷 - 150 nC -
漏源击穿电压 - 600 V -
长度 16.26 mm 19.96 mm -
宽度 5.3 mm 5.13 mm -
高度 21.46 mm 26.16 mm -
封装 TO-247-3 TO-264-3 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -