FDP120N10和SUP85N10-10-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDP120N10 SUP85N10-10-E3 BUK7510-100B,127

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N沟道 100V 85ATO-220AB N-CH 100V 110A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 3 -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 170 W 250 W 300 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 74A 85A 110A

输入电容(Ciss) 5605pF @25V(Vds) 6550pF @25V(Vds) 6773pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 170 W 3.75 W 300 W

耗散功率(Max) 170W (Tc) 250000 mW 300W (Tc)

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0097 Ω 10.5 mΩ -

阈值电压 2.5 V - -

上升时间 105 ns 90 ns -

下降时间 15 ns 130 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.67 mm - -

宽度 4.83 mm - -

高度 16.51 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Rail, Tube

最小包装 - 50 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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