CYD18S72V-133BBI和CYD18S72V18-200BGI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CYD18S72V-133BBI CYD18S72V18-200BGI CYD18S72V-100BBI

描述 CYD18S72V 系列 18 Mb (256 K x 72) 3.3 V 5 ns 双端口 静态RAM FBGA-484FullFlex SDR同步双端口SRAM商用和工业温度 FullFlex Synchronous SDR Dual Port SRAM Commercial and Industrial temperatureCYD18S72V 系列 18 Mb (256 K x 72) 3.3 V 5 ns 双端口 静态RAM FBGA-484

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 484 484 484

封装 BGA-484 FBGA-484 BGA-484

时钟频率 - 200 MHz 100 MHz

位数 72 72 72

存取时间(Max) 5 ns - 5.2 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V 1.7V ~ 1.9V 3.135V ~ 3.465V

存取时间 5 ns 9 ns, 5 ns -

供电电流 - 1030 mA -

高度 1.26 mm - 1.26 mm

封装 BGA-484 FBGA-484 BGA-484

长度 - 23 mm -

宽度 - 23 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a

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