V30120SHM3/4W和V30120S-M3/4W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 V30120SHM3/4W V30120S-M3/4W V30120S-E3/4W

描述 Diode Schottky 120V 30A 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeDiode Schottky 120V 30A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.43 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管功率二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

正向电压 1.28V @30A 1.28V @30A 1.1V @30A

正向电流 - - 30 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 300 A

正向电压(Max) - - 820 mV

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 40 ℃

长度 - - 10.54 mm

宽度 - - 4.7 mm

高度 - - 8.89 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ - 40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

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