对比图
型号 IXGH31N60D1 IXGH36N60A3D4
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin(3+Tab) TO-247ADTrans IGBT Chip N-CH 600V 36A 220000mW 3Pin(3+Tab) TO-247
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-247-3
引脚数 - 3
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
反向恢复时间 25 ns 3 ns
额定功率(Max) 150 W 220 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
耗散功率(Max) 150 W 220000 mW
耗散功率 - 220000 mW
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 16.26 mm
宽度 - 5.3 mm
高度 - 21.46 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99