IDT71016S12YG和IDT71016S12YG8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71016S12YG IDT71016S12YG8 71016S12YG8

描述 CMOS静态RAM 1兆欧( 64K ×16位) CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 12ns 44Pin SOJ T/RSRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 12ns 44Pin SOJ T/R

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 44

封装 BSOJ-44 BSOJ-44 SOJ-44

存取时间 - - 12 ns

电源电压 5 V - 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

长度 - - 28.6 mm

宽度 - - 10.2 mm

封装 BSOJ-44 BSOJ-44 SOJ-44

厚度 - - 2.90 mm

工作温度 - - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube, Rail Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 3A991 3A991 -

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