HM628512CLTTI-5和K6T4008C1B-VF55

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HM628512CLTTI-5 K6T4008C1B-VF55 HY628400ALLT2-55I

描述 宽温度范围版本的4M SRAM ( 512千字“ 8位) Wide Temperature Range Version 4 M SRAM (512-kword ´ 8-bit)512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAMStandard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Samsung (三星) SK Hynix (海力士)

分类

基础参数对比

封装 TSOP-2 TSOP-2 TSOP-2

封装 TSOP-2 TSOP-2 TSOP-2

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

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