对比图
型号 APT33GF120LRD IXSK35N120BD1
描述 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 52A 300000mW 3Pin(3+Tab) TO-264Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 70A 3Pin(3+Tab) TO-264AA
数据手册 --
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-264 TO-264-3
击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V
反向恢复时间 - 40 ns
额定功率(Max) - 300 W
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃
长度 - 19.96 mm
宽度 - 5.13 mm
高度 - 26.16 mm
封装 TO-264 TO-264-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 - Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free