对比图
型号 IPB80N06S2H5ATMA1 IPB80N06S2H5ATMA2 STB141NF55
描述 Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N06S2H5ATMA1, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装N沟道 55V 80AN沟道55V - 0.0065Ω - 80A - D2PAK - I2PAK - TO- 220的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 55V - 0.0065Ω - 80A - D2PAK - I2PAK - TO-220 STripFET™ II Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
通道数 1 1 -
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 300W (Tc) 300W (Tc) 300 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80A -
上升时间 23 ns 23 ns 150 ns
输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds)
下降时间 22 ns 22 ns 45 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
额定功率(Max) - - 300 W
长度 10 mm 10 mm -
宽度 9.25 mm 9.25 mm -
高度 4.4 mm 4.4 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free