对比图
型号 BSC030N04NSG BSZ023N04LSATMA1
描述 40V,100A,N沟道功率MOSFETTSDSON N-CH 40V 23A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
封装 PG-TDSON-8 PG-TSDSON-8-FL
通道数 - 1
漏源极电阻 - 2.4 mΩ
极性 - N-CH
耗散功率 - 69 W
阈值电压 - 2 V
漏源极电压(Vds) - 40 V
漏源击穿电压 - 40 V
连续漏极电流(Ids) - 23A
上升时间 - 38 ns
输入电容(Ciss) - 2630pF @20V(Vds)
下降时间 - 8 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃
耗散功率(Max) - 2.1W (Ta), 69W (Tc)
长度 - 3.3 mm
宽度 - 3.3 mm
高度 - 1.1 mm
封装 PG-TDSON-8 PG-TSDSON-8-FL
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free