GS880Z18CGT-200V和GS880Z18CGT-250IV

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GS880Z18CGT-200V GS880Z18CGT-250IV IS61LPS51218A-200TQLI

描述 SRAM Chip Sync Single 1.8V/2.5V 9M-Bit 512K x 18 6.5ns/3ns 100Pin TQFP TraySRAM Chip Sync Single 1.8V/2.5V 9M-Bit 512K x 18 5.5ns/3ns 100Pin TQFP TraySRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-bit 512K x 18 3.1ns 100Pin TQFP

数据手册 ---

制造商 GSI GSI Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 100 - 100

封装 TQFP LQFP TQFP-100

安装方式 - - Surface Mount

封装 TQFP LQFP TQFP-100

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - 无铅

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.47 V (max)

供电电流 - - 275 mA

时钟频率 - - 200MHz (max)

位数 - - 18

存取时间 - - 3.1 ns

内存容量 - - 9000000 B

存取时间(Max) - - 3.1 ns

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

电源电压 - - 3.135V ~ 3.465V

电源电压(Max) - - 3.465 V

电源电压(Min) - - 3.135 V

ECCN代码 - - EAR99

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