THS4121CDR和THS4121IDG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 THS4121CDR THS4121IDG4 THS4121CD

描述 3.3V, 100MHz, 43V/us, Fully Differential CMOS Amplifier高速全差分I / O放大器 HIGH-SPEED FULLY DIFFERENTIAL I/O AMPLIFIERS100MHZ全差分满幅度输出运放

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 - 100mA @3.3V 100mA @3.3V

供电电流 11 mA 11 mA 11 mA

电路数 1 1 1

通道数 - 1 1

耗散功率 - 1.02 W 1020 mW

共模抑制比 - 64 dB 64 dB

输入补偿漂移 - 25.0 µV/K 25.0 µV/K

带宽 100 MHz 100 MHz 100 MHz

转换速率 55.0 V/μs 55.0 V/μs 55.0 V/μs

增益频宽积 - 100 MHz 100 MHz

输入补偿电压 3 mV 3 mV 8 mV

输入偏置电流 1.2 pA 1.2 pA 1.2 pA

可用通道 - S S

工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

3dB带宽 100 MHz 100 MHz 100 MHz

增益带宽 - 64 dB -

耗散功率(Max) - 1020 mW 1020 mW

共模抑制比(Min) - 64 dB 64 dB

电源电压(Max) - 3.5 V 3.5 V

电源电压(Min) - 3 V 3 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

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