IXFH36N50P和IXFT36N50P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH36N50P IXFT36N50P IXFH32N50

描述 N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3Pin(2+Tab) TO-268IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH32N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 500 V, 150 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 36.0 A 36.0 A 32.0 A

漏源极电阻 0.17 Ω 0.17 Ω 150 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 540 W 540 W 360 W

阈值电压 5 V 5 V 4 V

输入电容 5.50 nF 5.50 nF -

栅电荷 93.0 nC 93.0 nC -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 36.0 A 36.0 A 32.0 A

上升时间 27 ns 27 ns 42 ns

输入电容(Ciss) 5500pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 5700pF @25V(Vds)

下降时间 21 ns 21 ns 26 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 540W (Tc) 540W (Tc) 360W (Tc)

通道数 1 - -

针脚数 3 - 3

额定功率(Max) 540 W - 360 W

额定功率 - - 360 W

长度 16.26 mm 16.05 mm -

宽度 5.3 mm 14 mm -

高度 21.46 mm 5.1 mm -

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/06/15 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

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