199D336X0010D6B1E3和199D336X9010D6B1E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 199D336X0010D6B1E3 199D336X9010D6B1E3 199D336X0016D6B1E3

描述 Cap Tant Solid 33uF 10V 20% (6 X 12.66mm) Radial 5.08mm 125℃ T/RCap Tant Solid 33uF 10V 10% (6 X 12.66mm) Radial 5.08mm 125℃ T/RCap Tant Solid 33uF 16V 20% (6 X 12.66mm) Radial 5.08mm 125℃ T/R

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 电容电容钽电容

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

电容 33.0 µF 33.0 µF 33 µF

容差 ±20 % ±10 % ±20 %

额定电压 10 V 10 V 16 V

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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