IRL7833S和IRL7833STRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL7833S IRL7833STRLPBF IRL7833SPBF

描述 D2PAK N-CH 30V 150AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON  IRL7833SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 30 V, 3.8 mohm, 10 V, 2.3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 - 140 W 140 W

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 4.5 mΩ 0.0038 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 140W (Tc) 140 W 140 W

阈值电压 - 2.3 V 2.3 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 150A 150A 150A

上升时间 - 50 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 4170pF @15V(Vds) 4170pF @15V(Vds) 4170pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 140 W 140 W

下降时间 - 6.9 ns 6.9 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)

长度 - 10.67 mm 10.67 mm

宽度 - 11.3 mm 9.65 mm

高度 - 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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