BAT54XV2T1和BAT54XV2T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAT54XV2T1 BAT54XV2T1G BAT54XV2T5G

描述 肖特基势垒二极管 Schottky Barrier DiodesON SEMICONDUCTOR  BAT54XV2T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C900mA,ON Semiconductor### 二极管和整流器,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 TVS二极管肖特基二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 2 2

封装 SOD-523-2 SOD-523-2 SOD-523-2

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 200 mA 200 mA -

电容 10.0 pF 10.0 pF -

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

输出电流 ≤200 mA ≤200 mA -

负载电流 - 0.2 A -

针脚数 - 2 2

正向电压 800mV @100mA 800mV @100mA 800mV @100mA

极性 Standard Standard -

耗散功率 - 200 mW -

热阻 - 635 ℃/W 635℃/W (RθJA)

反向恢复时间 5 ns 5 ns 5 ns

正向电流 200 mA 200 mA 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 600 mA 600 mA 600 mA

正向电压(Max) 800mV @100mA 800 mV 800 mV

正向电流(Max) - 200 mA 200 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 200 mW 200 mW

工作结温 150℃ (Max) - -

长度 1.2 mm 1.2 mm 1.3 mm

宽度 0.8 mm 0.8 mm 0.9 mm

高度 0.6 mm 0.6 mm 0.7 mm

封装 SOD-523-2 SOD-523-2 SOD-523-2

材质 - Silicon -

工作温度 55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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