对比图
型号 IXFN32N100P IXFN32N100Q3
描述 IXFN32 系列 N 沟道 1000 V 27 A 320 mOhm Mosfet - SOT-227BN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4
极性 - N-CH
耗散功率 690 W 780W (Tc)
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) - 28A
上升时间 55 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 14200pF @25V(Vds) 9940pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 690 W 780 W
下降时间 43 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 690W (Tc) 780W (Tc)
长度 - 38.23 mm
宽度 - 25.07 mm
高度 - 9.6 mm
封装 SOT-227-4 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free