对比图
描述 射频与微波晶体管 RF & MICROWAVE TRANSISTORS射频与微波晶体管 RF & MICROWAVE TRANSISTORSRF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉)
分类 双极性晶体管
引脚数 4 - -
封装 M-122 - -
耗散功率 5000 mW - -
击穿电压(集电极-发射极) 16 V 16 V -
增益 10 dB - -
最小电流放大倍数(hFE) 20 @100mA, 5V - -
额定功率(Max) 5 W - -
工作温度(Max) 200 ℃ - -
工作温度(Min) -65 ℃ - -
耗散功率(Max) 5000 mW - -
极性 - NPN -
集电极最大允许电流 - 0.4A -
封装 M-122 - -
工作温度 200℃ (TJ) - -
产品生命周期 Active Unknown Obsolete
包装方式 Bulk - -
RoHS标准 RoHS Compliant - -
含铅标准 Lead Free - -