对比图
型号 AUIRF2804 IRF2804PBF IRF2804
描述 INFINEON AUIRF2804 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 1.8 mohm, 10 V, 2 VINFINEON IRF2804PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 280 A, 40 V, 2.3 mohm, 10 V, 4 VTO-220AB N-CH 40V 280A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 300 W 330 W -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.0018 Ω 0.0023 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 300 W 330 W 330W (Tc)
阈值电压 2 V 4 V -
输入电容 - 6450 pF -
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
漏源击穿电压 - 40 V -
连续漏极电流(Ids) 270A 280A 280A
上升时间 120 ns 120 ns -
输入电容(Ciss) 6450pF @25V(Vds) 6450pF @25V(Vds) 6450pF @25V(Vds)
下降时间 130 ns 130 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 330W (Tc)
长度 - 10.66 mm -
宽度 - 4.83 mm -
高度 - 9.02 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 - EAR99 -