AD746BQ和AD746JN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD746BQ AD746JN AD746JNZ

描述 双路精密, 500 ns建立, BiFET运算放大器 Dual Precision, 500 ns Settling, BiFET Op Amp双路精密, 500 ns建立, BiFET运算放大器 Dual Precision, 500 ns Settling, BiFET Op AmpAnalog Devices### 运算放大器,Analog Devices

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 SOIC DIP-8 DIP-8

供电电流 8.00 mA 7 mA 7 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 88.0 dB 88.0 dB 88 dB

输入电容 5.50 pF 5.50 pF 5.50 pF

转换速率 75.0 V/μs 75.0 V/μs 75.0 V/μs

增益频宽积 13 MHz 13 MHz 13 MHz

输入阻抗 250 GΩ 250 GΩ 250 GΩ

输入补偿电压 - 300 µV 300 µV

输入偏置电流 - 110 pA 110 pA

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

3dB带宽 - 13 MHz 13 MHz

增益带宽 - 13 MHz 13 MHz

耗散功率 500 mW - 0.5 W

耗散功率(Max) 500 mW - 500 mW

共模抑制比(Min) 78 dB - 72 dB

针脚数 - - 8

带宽 - - 13 MHz

电源电压(Max) - - 18 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

高度 - 3.3 mm 3.3 mm

封装 SOIC DIP-8 DIP-8

长度 - - 9.91 mm

宽度 - - 6.35 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete End of Life Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

军工级 Yes Yes Yes

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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