M58LT256JSB8ZA6E和M58LT256JST8ZA6E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M58LT256JSB8ZA6E M58LT256JST8ZA6E M58LT256JSB8ZA6F

描述 NOR Flash Parallel/Serial 1.8V 256Mbit 16M x 16Bit 85ns 64Pin TBGA TrayNOR Flash Parallel/Serial 1.8V 256Mbit 16M x 16Bit 85ns 64Pin TBGA TrayNOR Flash Parallel/Serial 1.8V 256M-bit 16M x 16 85ns 64Pin TBGA T/R

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 Flash芯片Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

引脚数 64 64 -

封装 LBGA-80 LBGA-80 TBGA

电源电压 1.7V ~ 2V 1.7V ~ 2V -

位数 - 16 -

存取时间(Max) - 85 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

封装 LBGA-80 LBGA-80 TBGA

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free -

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