对比图
型号 JAN2N3635 JANTX2N5680 NTE323
描述 PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORTO-39 PNP 120V 1ANTE ELECTRONICS NTE323 双极性晶体管
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-39 TO-39 TO-39
击穿电压(集电极-发射极) 140 V 120 V 180 V
最小电流放大倍数(hFE) 100 @50mA, 10V - -
额定功率(Max) 1 W - -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW
针脚数 - - 3
极性 - PNP P-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 - 1 W 10 W
集电极最大允许电流 - 1A 1A
直流电流增益(hFE) - - 140
封装 TO-39 TO-39 TO-39
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bag Bag -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free -
ECCN代码 - EAR99 EAR99
HTS代码 - - 85412100959