对比图
型号 IXTK200N10L2 IXTX200N10L2 IXTK180N15P
描述 IXTK 系列 单 N 沟道 100 V 11 mOhm 1040 W 功率 Mosfet - TO-264ISOPLUS N-CH 100V 200AIXYS SEMICONDUCTOR IXTK180N15P 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 150 V, 10 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-264-3
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 1040 W 1.04 kW 800 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 150 V
连续漏极电流(Ids) 200A 200A 180 A
上升时间 225 ns 225 ns 32 ns
输入电容(Ciss) 23000pF @25V(Vds) 23000pF @25V(Vds) 7000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1040 W 1040 W 800 W
下降时间 27 ns 27 ns 36 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1040W (Tc) 1040W (Tc) 800W (Tc)
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 10 mΩ
阈值电压 - - 5 V
反向恢复时间 - - 150 ns
长度 - 16.13 mm -
宽度 - 5.21 mm -
高度 - 21.34 mm -
封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2014/06/16