对比图
型号 IXTP01N100D IXTU01N100D IXTY01N100D
描述 TO-220AD N-CH 1000VMosfet n-Ch 1000V 0.1A To-251MOSFET MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100mA TO-25
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-252-3
耗散功率 25 W 1.1W (Ta), 25W (Tc) 1.1 W
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V
上升时间 10 ns 10 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 120pF @25V(Vds) 120pF @25V(Vds) 120pF @25V(Vds)
下降时间 64 ns 64 ns 64 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.1W (Ta), 25W (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
额定电压(DC) 1.00 kV - -
额定电流 4.00 A - -
通道数 1 - 1
漏源极电阻 80 Ω - 80000 mΩ
极性 N-CH - -
漏源击穿电压 1000 V - 1000 V
连续漏极电流(Ids) 100 mA - -
额定功率(Max) 1.1 W - 1.1 W
封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-252-3
长度 10.66 mm - 6.73 mm
宽度 4.83 mm - 6.22 mm
高度 9.15 mm - 2.38 mm
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free