71V124SA15TYG和71V124SA15TYG8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V124SA15TYG 71V124SA15TYG8 IS63LV1024-12KL

描述 3.3V 128K x 8 Asynchronous Static RAM Center Power & Ground PinoutSRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 128K x 8 15ns 32Pin SOJ T/R1Mb, High-Speed, Async, 128K x 8, 12ns, 3.3V, 32Pin SOJ (400 mil), RoHS

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 32 32 32

封装 SOJ-32 SOJ-32 SOJ-32

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

存取时间 15 ns 15 ns 12 ns

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 3 V 3 V 3 V

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 - - 130 mA

位数 - - 8

内存容量 - - 1000000 B

存取时间(Max) - - 12 ns

长度 22.0 mm 21.95 mm -

宽度 7.60 mm 7.6 mm -

封装 SOJ-32 SOJ-32 SOJ-32

厚度 2.67 mm 2.67 mm -

高度 - 2.67 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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